人體血液中的鉛( Pb )與嚴(yán)重的神經(jīng)、行為和發(fā)育問題有關(guān)，在幼兒身上尤其如此。因此，歐盟通過了《限制有害物質(zhì)指令》，禁止在電子產(chǎn)品中使用超過規(guī)定濃度的鉛、鎘、汞、鉻( VI )、多溴聯(lián)苯( PBB )和多溴聯(lián)苯醚( PBDEs )。RoHS指令為電子設(shè)備和設(shè)備建立了1000ppm的Pb的大允許濃度限值。 由于各地的制造商必須遵守其電子產(chǎn)品的有害物質(zhì)限制規(guī)定，因此產(chǎn)品制造商及其供應(yīng)鏈必須確定合適的分析儀器，以便對諸如鉛等有害元素進(jìn)行檢測，因而靈敏度和準(zhǔn)確度都很高。
目前，電感耦合等離子體光學(xué)和原子發(fā)射光譜（ICP-OES和ICP-AES）在業(yè)界被用作RoHS一致性驗(yàn)證的分析方法。 然而，ICP-OES需要在分析之前進(jìn)行固體樣品的復(fù)雜和耗時(shí)的酸溶解，以及重要的科學(xué)專業(yè)知識來執(zhí)行分析。這使得ICP-OES不能作為一種快速的Pb監(jiān)測技術(shù)，用于大量樣品的質(zhì)量控制。XRF近年來也用于監(jiān)測成品中的鉛。這種方法雖然方便，但其在為薄而小樣品提供精確和精確的濃度測定方面面臨著挑戰(zhàn)。因此，XRF僅用于篩選RoHS元素，而不是用于終確定元素含量。LIBS，LA-IC-PMS和ICP-OES在大多數(shù)樣品上顯示非常相似的結(jié)果

1. ，LA-IC-PMS和ICP-OES在大多數(shù)樣品上顯示非常相似的結(jié)果，除了ICP-OES無法檢測所用低電鍍電流（50ASF）下的鉛（ND =未檢測到）含量。表2還顯示，在中等和高電流密度下生產(chǎn)的錫鍍層的鉛含量相似，而在低電流設(shè)置下生產(chǎn)的鍍錫較低。AAS顯示在所有電鍍電流下鉛濃度始終較低。然而，原子吸收光譜法在裸露的銅基底上檢測到約12ppm的鉛，而其他技術(shù)未檢測到鉛的存在。這種差異可能是由于樣品或制備溶液潛在污染導(dǎo)致的。對細(xì)小樣品的高檢測靈敏度和消除有毒化學(xué)廢物的直接固體分析能力，使J200 LIBS儀器成為電子工業(yè)中強(qiáng)有力的微分析分析工具。

• TSOP5656引線框封裝的錫鍍層的不同分析技術(shù)測定的鉛濃度（以ppm為單位）比較

AAS，ICP-OES，LA-ICP-MS和LIBS之間的Pb濃度比較

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